首頁 > 資訊 > 消息正文

基于4H碳化硅的超高Q光子晶體納米飛行器

發布:guangxuedaren    |    2019-08-05 20:39    閱讀:333
分享:
      

高質量(Q)因子的光子納米飛行器是集成光學電路的重要組成部分。利用碳化硅(SiC)作為納米航空材料,可以實現性能優越的器件。近日,來自日本京都大學的研究人員們在不使用氫離子注入的情況下,在4H-SiC平板上刻蝕氣孔,制備了超高Q值的 SiC光子晶體納米材料。通常這種材料會造成較大的吸收損失,與通常的設計相比,這種設計采用了相對較薄的平板結構,以避免錐形氣孔引起的交叉偏振模耦合損耗。研究人員們實驗得到了一個異質結構納米諧振腔,這個納米諧振腔具Q因子高達6.3×10^5,比之前報道的基于SiC的納米諧振腔的最高Q值大16倍。實驗表明,這種新型的納米腔顯示出一個高度歸一化的二次諧波轉換效率為1900%/W。

圖:腔體的制造工藝和結構。(a)制作工藝示意圖;(b)腔結構; (c)預制結構的SEM圖像;(d) SEM圖像的放大; (e)氣孔的橫截面圖。

原文鏈接

本文受譯者委托,享有該文的專有出版權,其他出版單位或網站如需轉載,請與本站聯系,聯系email:mail#opticsjournal.net。(為防止垃圾郵件,請將#換為@)否則,本站將保留進一步采取法律手段的權利。

免責聲明

網站內容來源于互聯網、原創,由網絡編輯負責審查,目的在于傳遞信息,提供專業服務,不代表本網站及新媒體平臺贊同其觀點和對其真實性負責。如對文、圖等版權問題存在異議的,請于20個工作日內與我們取得聯系,我們將協調給予處理(按照法規支付稿費或刪除),聯系方式:021-69918579。網站及新媒體平臺將加強監控與審核,一旦發現違反規定的內容,按國家法規處理,處理時間不超過24小時。最終解釋權歸《中國激光》雜志社所有。

在线看黄av免费